浜松ホトニクスは同社独自のレーザ加工技術により、世界で初めてシリコンフォトダイオード(以下Si-PD)に特殊な凹凸構造を形成、これにより通常は透過してしまう近赤外光を閉じ込めて吸収率を増やすことで波長 950nmから1100nmの近赤外領域で大幅に高感度化を実現する技術を開発した。この製品は米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される｢フォトニクス･ウエスト（Photonics West）｣で1月26日から3日間展示される。

素子の高速化のためには検出器の薄型化が必須であり、応答速度と感度がトレードオフの関係だが、同技術を用いることにより高速で高感度を併せ持つ安価で取扱が簡単なシリコン高感度近赤外検出素子の大量生産が実現する。

同技術を用いたフォトダイオードの新製品はセキュリティ分野をはじめ、光通信、温度計測、蛍光測光などへの応用展開が期待される。また、今後はCMOSイメージセンサなど他のシリコン検出器への適用も期待される。

より詳しい内容は浜松ホトニクスプレスリリースで。

【編集後記】
SPIE Photonics West 2010と言えば、

米Kaai, Inc.はPhotonics West 2010で独自開発した発振波長523nmの緑色半導体レーザを発表するそうな。

この緑色半導体レーザはGaN結晶で実現しており，極性面に垂直な非極性面か，極性面に対して傾いた半極性面のいずれかを結晶成長に利用したらしいが、どちらの面を使ったかは現時点では非公開。実現技術の詳細については国際学会で確かめよう！！（わたしは行かないけど）