東京都市大学 総合研究所 シリコンナノ科学研究センターは，ゲルマニウム（Ge）の量子ドットを利用したSiの発光素子を作製し、室温の中、電流励起での発光を確認したと発表した。この量子ドットは，MBE（分子線エピタキシー）法で約400℃で形成するため、素子の製造プロセスはCMOSプロセスと互換性がある。また、レーザ発振の可能性もあることから、Siフォトニクスの実現に一歩近づいたとする。

詳しくはTech-On,”東京都市大，Ge量子ドットを埋め込んだSiベースのLEDを作製”を参照して下さい。

【追加参考文献 5/26 】マイコミジャーナル