従来、テラヘルツ波を電波として検出する従来のプラズマ波方式のトランジスタは、室温で動作するものの、実用上十分な感度が得られませんでした。一方、現行実用化されている熱変換方式検出器は、感度はあるものの、-270℃の極低温に冷却する必要があり、装置も大型化してしまいます。今回開発したトランジスタは、テラヘルツ波をトランジスタ内でプラズマ波へ変換することで電気信号として検知するものです。GaN材料を用いることにより、プラズマ波の振幅を大きくして、取り出せる信号強度を増大させました。さらに、トランジスタの電極をアンテナとして用いることで付加アンテナが不要となり、伝搬損失を無くしました。これにより、実用上十分なテラヘルツ波検出感度を実現しました。これにより、セキュリティカメラ、材料分析装置をはじめ様々な機器の簡素化が可能となり、テラヘルツ波の幅広い普及が期待されます。
本開発のテラヘルツ検出用GaNトランジスタは、従来のガリウム砒素（GaAs）トランジスタに比べて以下の特長があります。
・ 高いテラヘルツ波検出感度 1100V/W（従来比 二桁以上）
・ 室温動作が可能（従来 室温での感度が取れない）
より詳しい情報はパナソニックウェブサイト、ニュースリリースへ。
参考：asahi.com
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